タウア・ニン最新ＶＬＳＩの基礎の通販ならネットオフ！

初版より、すべての章が加筆改訂された改訂2版の翻訳書。MOSFETのスケール長の理論や高電界輸送モデル、SiGeベースバイポーラデバイスの設計などの新たな題材を加えたのみならず、金属‐シリコンのコンタクト、CMOS回路のノイズマージンおよびRF応用向けの性能指数を含めて基本的なデバイスの物理と回路に関する議論が拡大されている。さらにメモリデバイス、SOIデバイスについて新たに二つの章が追加された。

目次 ：序章;デバイス物理の基礎;MOSFETデバイス;CMOSデバイス設計;CMOS性能因子;バイポーラデバイス;メモリデバイス;SOIデバイス〔ほか〕

・古本・中古本 ＞ 産業本 ・学術書・歴史本 ＞ 電気・機械・技術 ＞ 電気・電子

・古本・中古本の人気ランキングから探す

・産業本 ・学術書・歴史本の人気ランキングから探す

・人気 書籍作家ランキングから探す

買取 宅配買取 ＞古本・中古本の高価買取情報 ＞産業本 ・学術書・歴史本の高価買取情報 ＞タウア・ニン最新ＶＬＳＩの基礎 買取価格